功能和应用
钽外壳，气密密封，同向引出，极性，超大电容；多种外部安装结构；
体积小，储能容量大，电气性能优异稳定，可靠性高，寿命长；
在航天、航空、武器、电子、船舶、通信等领域的军用电子设备的直流或脉冲电路中提供储能和断电延迟功能；
THC系列相当于EVANS THQ系列；
执行标准：GJB733B-2011
订单格式：产品型号-额定电压-标称电容-电容允许偏差：订单数量；
示例1：THC1-10V-50000μF-M:100，GJB1312A-2001
示例2:THC1-L21-125V-1100μF-K:100架，GJB733B-2011
；
主要技术性能
温度范围：-55℃~+125℃（当超过85℃，施加降额电压使用）；
储存温度范围：-62℃~+130℃;
电容允许偏差：K级：±10%; M级：±20%;
额定电压、降额电压、浪涌电压、标称电容、等效串联电阻（ESR）、直流漏电流、阻抗、电容变化：请咨询我们；
结构外形尺寸：参见外部模型尺寸表和外部结构图；
可选安装方法：参考型号尺寸表和外部结构图。
（表1）
| 模型 | 外壳代码 | 外部尺寸（毫米） | 最大重量（g） | 可选外部结构 | |||||
| ΦD±0.5 | H±0.5 | h1±0.5 | Φd±0.1 | h2±0.5 | S±0.5 | ||||
| THCM1 | A1 | 12 | 8. | 4.5 | 0.8 | 12.7 | 3.7 | 9 | |
| THCM1Q | A2 | 10 | 12 | Y4、V4 | |||||
| THCM1 | 地下一层 | 15 | 8. | 4.5 | 1. | 12.7 | 5.2 | 12 | |
| THCM1 | 地下二层 | 10 | 14 | ||||||
| THCM2 | 地下二层 | 10 | 16 | ||||||
| THCM2 | 地下三层 | 12 | 20 | ||||||
| THCM2Q | C1 | 16 | 12 | 4.5 | 1. | 12.7 | 5.2 | 20 | |
| THCM2Q | C2 | 16 | 25 | ||||||
| THCM1Q | D1 | 19 | 8. | 4.5 | 1. | 12.7 | 6.5 | 20 | Y4、V4、G2、L21 |
| THCM1 | D2 | 10 | 22 | ||||||
| THCM2 | D2 | 10 | 25 | ||||||
| THCM2 | D3 | 12 | 35 | ||||||
| THC1 | D4 | 19 | 13 | 4.8 | 1. | 12.7 | 6.5 | 40 | |
| THCM2 | D5 | 19 | 16 | 4.5 | 1. | 12.7 | 6.5 | 45 | |
| THCM1Q | E1 | 22 | 8. | 4.5 | 1. | 12.7 | 7. | 30 | Y4、V4、L21 |
| THCM2Q | E2 | 12 | 40 | ||||||
| THCM2Q | E3 | 16 | 50 | ||||||
| THCM1 | 一层楼 | 25 | 8. | 4.5 | 1. | 12.7 | 7. | 35 | L21 |
| THCM2 | 地上二层 | 10 | 40 | ||||||
| THCM2 | F3 | 12 | 50 | ||||||
| THCM2 | F4 | 16 | 75 | ||||||
| THC1 | G1 | 35.5 | 8. | 6. | 1. | 14 | 10 | 55 | L21、L31、W、F、FJ |
| THC2 | G2 | 12 | 80 | ||||||
| THC2 | G3 | 16 | 110 | ||||||
| THC3 | G4 | 20 | 145 | ||||||
| THC3 | G5 | 22 | 160 | ||||||
| THC3 | G6 | 24 | 165 | ||||||
| 在选择F/FJ外部结构时，由于导线电阻的增加，产品的ESR标准在原标准的基础上提高了0.05Ω。 | |||||||||
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