特点和应用
芯片产品，适用于表面安装；
介质为II类陶瓷，电容较大；
耐压高达250VDC~6000VDC；
产品经过100%温度冲击和高温电气负载筛选；
适用于军用雷达、通信、航空、武器系统等电子设备，用于滤波、低频耦合电路，或对损耗和电容稳定性要求低的电路。
订购示例
| G | ；CT41V ；- ；1206 ；- ； ；X7R ；- ；1000V ；- ；102 ；K | |||||
| 质量等级 | 模型 | 外部尺寸 | 温度特性 | 额定电压 | 标称容量 | 电容公差 |
| 见下表 | II类中高压多层陶瓷电容器 | 见下表 | 见下表 | 直接标准法1000V | 数值方法，102是1000pF | 见下表 |
质量等级与执行标准对照表
| 质量等级 | 质量等级代码 | 执行见通用标准 | 详细规格编号 |
| 七大特色菜 | G | QZJ840624陶瓷电容器“七大专业”技术条件 | Q/MC126-2019 |
| 一般军事级别 | J | GJB192B-2011 GJB1940-1994 |
Q/MC125-2019 |
外部尺寸
| 尺寸代码 | 外形尺寸（mm） | |||
| L | W | Tmax | MB | |
| 0805 | 2.00±0.20 | 1.20±0.20 | 1.35 | 0.40±0.15 |
| 1206 | 3.20±0.30 | 1.60±0.30 | 1.6 | 0.45±0.25 |
| 1210 | 3.20±0.40 | 2.50±0.40 | 2.8 | 0.45±0.15 |
| 1812 | 4.50±0.50 | 3.20±0.50 | 3. | 0.50±0.20 |
| 2220 | 5.70±0.50 | 5.00±0.50 | 3.5 | 0.60±0.30 |
| 2225 | 5.70±0.50 | 6.30±0.50 | 3.5 | 0.60±0.30 |
| 3035 | 7.60±0.60 | 8.90±0.60 | 4. | 0.70±0.30 |
| 3640 | 9.10±0.60 | 10.10±0.60 | 5. | 0.80±0.30 |
| 4545 | 11.50±0.60 | 11.50±0.60 | 5. | 0.80±0.80 |
| 5550 | 14.00±0.80 | 12.70±0.80 | 6. | 1.00±0.30 |
| 7680 | 19.30±0.80 | 20.30±0.80 | 6. | 1.00±0.30 |
温度特性
| 温度特性代码 | 最大允许容量变化 | 工作温度范围 |
| X7R | ±15% | -55℃~+125℃ |
| X7T | -33%~±22% | -55℃~+125℃ |
电容量允许偏差
| 代码 | 允许偏差范围 |
| K | ±10% |
| M | ±20% |
主要业绩指标
| 项目 | 试验条件 | 性能指标 |
| 电容 ；CR | 测试频率：1KHz±20%；测试电压：1V±0.2Vrms | tgδ≤250x104. |
| 损耗角正切 tgδ |
||
| 绝缘电阻 ；IR |
试验电压：当UR＜1000V，使用额定电压 当UR≥1000V，使用1000V电压 测试时间：1min±5s |
CR≥0.047μF:IR≥100MΩ·μfcR＜0.047μF： IR≥1x104.MΩ或100MΩ·μF，以较小者为准 |
| 耐压 |
在测试过程中，需要将钳位电容器浸入硅油中；升压速率应达到200V/s的最大要求，总升压时间不得超过1分钟; 浪涌电流：50mA 测试电压：当UR=250V:2.5UR 当500V≤U时R<；1000V:1.5UR 当UR≥1000V:1.2UR 测试时间：5s±1s 放电时间：5s以上 |
无击穿、电弧或可见损坏 |
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