特点和应用
无外部密封层，适合表面安装；
介质为II类陶瓷，介电常数高，电容器电容体积比大；
每批产品均经过100%温度冲击筛选和高温电气负载筛选；
适用于武器、舰船、航空航天等各种军用电子设备中的旁路、滤波、低频耦合电路，或对损耗和电容稳定性要求低的电路。
订购示例
| G | ；CT41L ；- ；0805 ；- ；2C1 ；- ；50V ；- ；104 ；K | |||||
| 质量等级 | 模型 | 外部尺寸 | 温度特性 | 额定电压 | 标称容量 | 电容公差 |
| 见下表 | II类瓷介质 多层陶瓷电容器 |
见下表 | 见下表 | 直接标准法50V | 数值方法，104是100000pF | 见下表 |
质量等级与执行标准对照表
| 质量等级 | 质量等级代码 | 执行见通用标准 | 详细规格编号 |
| 七大特色菜 | G | QZJ840624陶瓷电容器“七大专业”技术条件 | Q/MC111-2019 |
| 一般军事级别 | J | GJB192B-2011 | Q/MC110-2019 |
外部尺寸
| 尺寸代码 | 外形尺寸（mm） | 备注 | ||
| L | W | Tmax | ||
| 0402 | 1.00±0.15 | 0.50±0.05 | 0.55 | CR＜1.0μF |
| 1.00±0.15 | 0.50±0.15 | 0.8 | CR≥1.0μF | |
| 1.00±0.15 | 0.50±0.20 | 0.8 | CR≥10.0μF | |
| 0603 | 1.60±0.15 | 0.80±0.15 | 0.95 | CR＜10.0μF |
| 1.60±0.30 | 0.80±0.30 | 1.1 | CR≥10.0μF | |
| 0805 | 2.00±0.20 | 1.25±0.20 | 1.4 | CR＜10.0μF |
| 2.00±0.40 | 1.25±0.40 | 1.5 | CR≥10.0μF | |
| 1206 | 3.20±0.30 | 1.60±0.30 | 1.9 | |
| 1210 | 3.20±0.40 | 2.50±0.30 | 2.8 | |
| 1812 | 4.50±0.50 | 3.20±0.40 | 3.5 | |
| 2220 | 5.70±0.50 | 5.00±0.50 | 5.2 | |
| 2225 | 5.70±0.50 | 6.30±0.50 | 6.2 | |
温度特性
| 温度特性代码 | 最大允许容量变化 | 工作温度范围 |
| X7R | ±15% | -55℃-+125℃ |
| X7S | ±22% | -55℃~+125℃ |
| X7T | -33%~+22% | -55℃-+125℃ |
| X6S | ±22% | -55℃-+105℃ |
| X6T | -33%~+22% | -55℃~+105℃ |
| X5R | ±15% | -55℃-+85℃ |
| X5S | ±22% | -55℃~+85℃ |
| 2R1 | ±15% | -55℃~+125℃ |
| 2R2 | ±15% | -55℃~+85℃ |
| 2C1 | ±20% | -55℃~+125℃ |
| 2C2 | ±20% | -55℃~+85℃ |
| 2X1 | ±15% | -55℃~+125℃ |
电容容限
| 代码 | 允许偏差范围 |
| K | ±10% |
| M | ±20% |
主要业绩指标
| 项目 | 试验条件 | 性能指标 |
| 电容 ；CR |
1、 容量列表A： CR＜100pF:1MHz±20%，1V±0.2Vrms CR≥100pF:1KHz±20%，1V±0.2Vrms 2、 容量列表B： CR≤10μF:1KHz±10%，1V±0.2Vrms 10μF＜CR＜470μF： 120Hz±10%，0.5V±0.2Vrms CR≥470μF:50Hz±10%，0.5V±0.1Vrms |
1.、容量表A:tgδ ；≤350×104. 2、 容量列表B： a、 0603及以下尺寸，或容量大于或等于1μF，tgδ≤1200×10的产品4. b、 UR≤16V，tgδ≤1000×104.； 16V＜UR≤50V，tgδ≤500×104.； 50V＜UR≤200V，tgδ≤250×104.； c、 cR≥100μF，tgδ≤1500×104. |
| 损耗角正切 ；tgδ | ||
| 绝缘电阻 ；IR | 试验电压：额定电压UR;测试时间：1min±5s | 1、 容量列表A： CR≤25μF，IR≥4000MΩ CR＞25μF，IR≥100MΩ·μF 2、 容量列表B： CR＜0.047μF，IR≥1×104MΩ或500MΩ·μF，以较小者为准 CR≥0.047μF，IR≥100MΩ·μF |
| 耐压 | 试验电压：2.5UR;测试时间：5s±1s | 无击穿、电弧或可见损坏 |
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