特点和应用
无外部密封层，适合表面安装；
介质为II类陶瓷，介电常数高，电容器电容体积比大；
每批产品均经过DPA、100%温度冲击筛选、高温电气负载和室温湿度筛选；
适用于各种军用电子设备中的旁路、滤波、低频耦合电路或对损耗和电容稳定性要求低的电路。
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订购示例
| G | ；CT41G ；- ；0805 ；- ；X7R ；- ；50V ；- ；104 ；K ；T | ||||||
| 质量等级 | 模型 | 外部尺寸 | 温度特性 | 额定电压 | 标称容量 | 电容公差 | 包裹 |
| 见下表 | II类瓷介质 多层陶瓷电容器 |
见下表 | 见下表 | 直接标准法50V | 数值方法，104是100000pF | 见下表 | T： 松散包装 E： 板材安装 |
质量等级与执行标准对照表
| 质量等级 | 质量等级代码 | 执行见通用标准 | 详细规格编号 |
| 七大特色菜 | G | QZJ840624陶瓷电容器“七大专业”技术条件 | Q/MC114-2019 |
| 一般军事级别 | J | GJB192B-2011 | Q/MC113-2019 |
外部尺寸
| 尺寸代码 | 外形尺寸（mm） | 笔记 | ||
| L | W | Tmax | ||
| 0402 | 1.00±0.15 | 0.50±0.05 | 0.55 | CR＜1.0μF |
| 1.00±0.15 | 0.50±0.15 | 0.8 | CR≥1.0μF | |
| 1.00±0.15 | 0.50±0.20 | 0.8 | CR≥10.0μF | |
| 0603 | 1.60±0.15 | 0.80±0.15 | 0.95 | CR＜10.0μF |
| 1.60±0.30 | 0.80±0.30 | 1.1 | CR≥10.0μF | |
| 0805 | 2.00±0.20 | 1.25±0.20 | 1.4 | CR＜10.0μF |
| 2.00±0.40 | 1.25±0.40 | 1.5 | CR≥10.0μF | |
| 1206 | 3.20±0.30 | 1.60±0.30 | 1.9 | |
| 1210 | 3.20±0.40 | 2.50±0.30 | 2.8 | |
| 1812 | 4.50±0.50 | 3.20±0.40 | 3.5 | |
| 2220 | 5.70±0.50 | 5.00±0.50 | 5.2 | |
| 2225 | 5.70±0.50 | 6.30±0.50 | 6.2 | |
温度特性
| 温度特性代码 | 最大允许容量变化 | 工作温度范围 |
| X7R | ±15% | -55℃~+125℃ |
| X5R | ±15% | -55℃~+85℃ |
电容容限
| 代码 | 允许偏差范围 |
| K | ±10% |
| M | ±20% |
主要业绩指标
| 项目 | 试验条件 | 性能指标 |
| 电容 ；CR |
CR≤10μF： 1KHz±10%，1V±0.2Vrms 10μF＜CR＜470μF： 120Hz±10%，0.5V±0.2Vrms |
1.UR>；50V，tgδ≤250x104. 2、 UR=50V，tgδ≤350x104. 3、 UR=25V，tgδ≤350x104. 4、 UR=16V，tgδ≤500x104. 5、 UR≤10V，tgδ≤1000x104. 6、 尺寸0603及以下，或容量大于或等于1μF，tgδ≤1000x104. 7.CR≥100μF，tgδ≤1500x104. |
| 损耗角正切 ；tgδ | ||
| 绝缘电阻 ；IR | 试验电压：额定电压UR;测试时间：1min±5s |
CR<；0.047μF，红外光谱≥4x103.MΩ CR≥0.047μF，IR≥100MΩ·μF |
| 耐压 | 试验电压：2.5UR;测试时间：5s±1s | 无击穿、电弧或可见损坏 |
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