特点和应用
芯片产品，适用于表面安装；
介质为I类瓷，产品性能稳定；
耐压高达250VDC~5000VDC；
产品经过100%温度冲击和高温电气负载筛选；
适用于军用雷达、通信、航空、武器系统等电子设备，用于谐振电路、高频耦合、高频放大器以及需要低损耗和高绝缘电阻的电路。
订购示例
| G | ；CC41V ；- ；1206 ； ；- ；CG ；- ； ；1000V ；- ；101 ；J | |||||
| 质量等级 | 模型 | 外部尺寸 | 温度系数 | 额定电压 | 标称容量 | 电容公差 |
| 见下表 | I类中高压多层陶瓷电容器 | 见下表 | CG:0±30ppm/℃ CH:0±60ppm/℃ -55℃~+125℃ |
直接标准法1000V | 数值方法，101为100pF | 见下表 |
质量等级与执行标准对照表
| 质量等级 | 质量等级代码 | 执行见通用标准 | 详细规格编号 |
| 七大特色菜 | G | QZJ840624陶瓷电容器“七大专业”技术条件 | Q/MC123-2019 |
| 一般军事级别 | J | GJB192B-2011 GJB1940-1994 |
Q/MC122-2019 |
外部尺寸
| 尺寸代码 | 外形尺寸（mm） | |||
| L | W | Tmax | MB | |
| 0805 | 2.00±0.20 | 1.20±0.20 | 1.35 | 0.40±0.15 |
| 1206 | 3.20±0.30 | 1.60±0.30 | 1.6 | 0.45±0.25 |
| 1210 | 3.20±0.40 | 2.50±0.40 | 2.8 | 0.45±0.15 |
| 1812 | 4.50±0.50 | 3.20±0.50 | 3. | 0.50±0.20 |
| 2220 | 5.70±0.50 | 5.00±0.50 | 3.5 | 0.60±0.30 |
| 2225 | 5.70±0.50 | 6.30±0.50 | 3.5 | 0.60±0.30 |
| 3035 | 7.60±0.60 | 8.90±0.60 | 4. | 0.70±0.30 |
| 3640 | 9.10±0.60 | 10.10±0.60 | 5. | 0.80±0.30 |
| 5550 | 14.00±0.80 | 12.70±0.80 | 6. | 1.00±0.30 |
电容容限
| 标称电容范围 | 代码 | 允许偏差范围 |
| CR＜10pF | B | ±0.1pF |
| C | ±0.25pF | |
| D | ±0.5pF | |
| F | ±1% | |
| CR≥10pF | G | ±2% |
| J | ±5% | |
| K | ±10% |
主要业绩指标
| 项目 | 试验条件 | 性能指标 |
| 电容 ；CR |
测试频率CR≤1000pF，1MHz±10% CR＞1000pF，1KHz±10% 测试电压：1.0V±0.2Vrms |
当CR≥50pF，tgδ≤15x104.; 当CR＜50pF tgδ≤1.5倍（150/CR+7） x104. |
| 损耗角正切 ；tgδ | ||
| 绝缘电阻 ；IR |
试验电压：当UR＜1000V，使用额定电压 当UR≥1000V，使用1000V电压 |
IR≥1x104.MΩ |
| 耐压 |
在测试过程中，需要将钳位电容器浸入硅油中：升压速率应高达200V/s。总升压时间不应超过1分钟; 浪涌电流：50mA 测试电压：当UR=250V:2.5UR 当500V≤U时R<；1000V:1.5UR 当UR≥1000V:1.2UR 测试时间：5s±1s 放电时间：5s以上 |
无击穿、电弧或可见损坏 |
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